第三类存储技术在中国诞生 速度比U盘快一万倍还能保密信息

近日，我国科学家研发出了新型存储技术，让存储设备能兼有高写入速度和长存储时间，解决了长期以来存储设备只能在其中二选一的难题。

新技术名为二维半导体准非易失存储原型器件，是行业中的第三类存储技术，由复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队研发。过去，半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机中的内存，可以在几纳秒内写入数据，但是断电后会数据立即丢失;第二类是非易失性存储，例如人们常用的U盘，数据可保存10年，但是写入数据需要几微秒到几十微秒。

新的电荷存储技术，既具备10纳秒级别的高速写入特性，又具备数据存储时间按需定制(10秒-10年)的准非易失特性，能让数据在需要的时候消失，为某些特定场景提供了保密性。科研人员介绍，采用这种技术的存储设备可以实现高密度集成，能在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。

简而言之，新技术的写入速度比目前U盘快一万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且调控性上佳，还可以针对数据有效时间需求灵活设计存储器结构……是半导体行业的颠覆性技术。

这项科学突破由复旦大学科研团队独立完成，复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室为唯一单位。该项工作得到国家自然科学基金优秀青年项目和重点研究项目的支持。