英特尔美光推出3D XPoint技术 内存速度提升千倍

前瞻科技快讯，国外媒体报道称，英特尔与美光将开始生产速度更快的新内存芯片，与NAND相比，这项技术在速度提升了1000倍。此外，相比传统存储器，该存储器技术的存储密度也提升达10倍。

半导体技术巨头英特尔与美光周二在一份联合声明中表示，新芯片中的“3D XPoint”技术是25年来内存芯片市场上首次出现的主流新技术。3D XPOINT听起来似乎能解决目前所有现代计算机都遇到的内存瓶颈，新产品的速度比目前市场上的内存快1000倍。

最重要的是，3D XPOINT已经处在生产的早期阶段。美光总裁马克·亚当斯表示：“在现代计算机中，最大的一个障碍便是处理器在长期存储设备中找数据的时间太长。这种新的内存是一项革命性技术。它可以快速存取巨量数据集，支持全新的应用”。

这种快速高效的技术能让一些计算应用受益。例如，3D XPOINT可能会运用于实时跟踪疾病等系统。英特尔与美光计划今年晚些时候向潜在客户发送样品，并计划在2016年推出独立的产品线。