总投资16亿元的半导体项目落户四川眉山
近日,四川省眉山市东坡区与泉州泽仕通科技有限公司举行签约仪式,标志着总投资16亿元的半导体测试封装与无线通信网络技术产品生产基地项目正式落户东坡区。此次签约的项目总投资16亿元,其中固定资产投入不低于12亿元,主要建设半导体测试封装与无线通信网络技术产品生产基地。项目全部建成投产后,实现年产值不低于25亿元,年上缴税收不低于1亿元,提供就业岗位200个。
北京加快突破光刻机“卡脖子”难题
近日,亦庄企业北京国望光学科技有限公司增资项目在北京产权交易所完成。通过此次增资,国望光学引入中国科学院长春光学精密机械与物理研究所和中国科学院上海光学精密机械研究所作为战略投资者,两家机构以无形资产作价10亿元入股,对应持股比例为33.33%。这意味着北京在推动国产光刻机核心部件生产方面迈出实质性步伐,将加快突破国产中高端光刻机制造“卡脖子”技术难题。
阿里入局 传平头哥正研发专用SoC芯片
据消息人士透露,阿里平头哥正在研发一款专用SoC芯片,该SoC芯片将用于阿里云神龙服务器的核心组件MOC卡,以推动下一代云计算技术的升级。据了解,系统芯片(SoC)指的是在单个芯片上集成一个完整的系统,对所有或部分必要的电子电路进行包分组的技术。由于强大的高效集成性能,系统芯片是替代集成电路的主要解决方案。SoC 已经成为当前微电子芯片发展的必然趋势。
帮助人工智能落地 国产研发单芯片运动控制器问世
日前,由实时侠智能控制技术有限公司(下称“实时侠”)研制的全球首款单芯片多轴驱控一体运动控制器(简称SCIMC)完成了技术验证,即将在8月底举行的上海世界人工智能大会(WAIC)上亮相发布。这款产品将摆脱对英特尔X86处理器、微软Windows操作系统的依赖,以完全独立开发的运动规划、电机控制、通信、应用软件等IP模块,真正实现自主可控技术,打破国外品牌长期占据运动控制器高端市场的格局。
晶科上半年出口太阳能电池57.4亿元
据从上饶海关获悉,今年上半年,光伏龙头企业晶科能源有限公司实现太阳能电池出口57.4亿元,同比增长88%,占全省太阳能电池出口的92.2%,继续保持全省最大生产出口民营企业地位。
总投资5.3亿元的再生晶圆和IGBT落户江苏东海
14日,江苏东海经济开发区与台湾合劲半导体科技有限公司举行项目签约仪式。台湾合劲半导体科技有限公司将在东海经济开发区投资兴建 “再生晶圆和IGBT”项目。据东海党办报道,该项目总投资7500万美元(约合人民币5.3亿元),达产后可年产8-12寸再生晶圆150万片,实现年销售收入5亿元,税收3000万元以上。东海党办指出,再生晶圆和IGBT项目在国内占据重要地位,IGBT芯片薄化技术可生产出全亚洲最薄的晶圆。
山东首家半导体科技服务平台落户烟台
15日,米格实验室与山东智宇知识产权运营中心负责人签订了烟台半导体科技服务平台合作协议。报道指出,烟台半导体科技服务平台系山东省首家半导体科技服务平台。该平台将以市场为导向,在大数据基础上挖掘整合国内外专家人才资源、实验室资源,聚焦半导体、芯片、新材料等领域,以“科研———知识产权设计/布局———实验室研发———技术产业化转移”为运营模式,致力于科研技术的市场化运营、再创新与产业化的全链条技术转移服务,为烟台开发区半导体产业发展提供有力支撑。
5G发展拉抬芯片需求 中国台湾半导体制造与封测业受益
近期许多中国台湾半导体厂商皆以5G产业为日后半导体市场趋势发展的提升动能,从5G硬件设备发展来看,5G基地台的基础建设是发展初期的必要需求,短期成长力道强劲;5G手机则是终端装置的第一波应用,话题性高但要普及化仍需长时间经营。以台厂在全球半导体的战略位置分析,晶圆代工与封装测试部分较能在5G芯片需求上取得优势,预期将持续挹注相关厂商的营收表现;然在IC设计方面,可能遭遇较多困难。
重庆两江新区集成电路产业营收增长8倍
据重庆两江新区官网介绍,上半年,两江新区数字经济产业营收702亿元,增长35%。其中,集成电路产业增长8倍。乘着数字经济发展浪潮,两江新区的产业结构也在持续优化,制造业与大数据智能化愈发深度融合,高质量发展、转型升级步伐正在加快。
联发科5G芯片领跑 已通过5G独立组网连网通话测试
近日,联发科携手国际合作伙伴与核心网伙伴诺基亚、思科、基站供应商爱立信、国外运营商T-mobile成功完成5G独立组网连网通话对接,此次共同合作测试,实现了全球第一个5G独立组网的通话连网,这将让5G商用部署具备更多弹性。
AMD:7nm芯片再挑英特尔服务器市场
“这是目前性能最为强劲的X86服务器芯片!”AMD CEO苏姿丰站在旧金山地标建筑艺术宫的舞台上,信心满满地正式发布第二代EPYC(霄龙)数据中心处理器“罗马”,期待进一步从英特尔占据绝对主导的服务器芯片市场拿下更多份额。新品发布后,AMD股价连续两个交易日大幅走高,市值一举超过430亿美元。相比几年前股价还不到2美元,市值跌破20亿美元的窘况,如今的AMD股价正处在过去15年的最高点。而这神奇的大逆转就发生在短短的三年时间内。
Marvell推出3款PCIe4.0 SSD主控 号称功耗业界最低
近日,马牌(Marvell)推出了自家的三款PCIe4.0 SSD主控,成为继群联、慧荣后又一具备PCIe4.0 SSD主控的厂商。本次发布的PCIe4.0 SSD主控共有三款,型号分别为Marvell 88SS1321、88SS1322、88SS1323;其采用Tri-Cortex R5 CPUs,4通道设计,带宽为1200MT/s;从官方给出的参数来看,定位最高的Marvell 88SS1321连续读写性能可以去到3.9GB/s和3.3GB/s,4K随机读写性能可以达到690K IOPS和500K IOPS。
SK 海力士将推800+ 层堆叠NAND Flash
目前,两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划。 其中,三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外,SK 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash,并已经进入量产阶段。不过,虽然两家厂商竞相推出NAND Flash 的新产品,但是堆叠技术的发展至今仍未到达极限。所以,SK 海力士日前在一场会议上就公布了公司的规划,预计在2030 年推出800+ 层的NAND Flash,届时将可轻松打造出100 到200TB 容量的SSD。
印度拟提高光伏设备进口关税
印度电力部长辛格表示,未来几年,为鼓励国内工业,印度将提高光伏设备的进口税。印度电力部长辛格说,印度将在未来几年提高光伏设备的进口税,以鼓励国内产业。他还宣布,将很快公布一项政策,这项政策将特别对印度的光伏设备制造业提供税收优惠。印度电力部保证,进口税的上升不会影响印度太阳能投标过程。去年7月,印度对从中国和马来西亚进口的光伏电池征收了高达25%的保护税,以促进当地业务。
日媒称三星电子在比利时找到替代货源
据《日本经济新闻》报道,受日本限制对韩出口半导体关键材料影响,三星电子现已转往比利时采购部分核心原材料。日本上月4日宣布限制向韩国出口3种半导体关键材料,光刻胶为其中之一。据报道,韩国汉阳大学半导体工程教授朴在勤称,三星电子现已在比利时某化学公司找到光刻胶货源,并已向该公司下单购买6至10个月需求量的货品。此外,朴在勤教授表示日本政府的出口限制对韩国企业的影响有限。朴在勤未透露将给三星供货的比利时公司名称,但据韩媒分析,该公司或为“光刻胶制造与合格中心”,由日本材料公司JSR与比利时研究机构IMEC在2016年合资成立,公司的最大股东为JSR设在比利时的子公司JSR Micro。
格罗方德:已研发出12nm工艺的3D封装Arm芯片
根据外媒Tom's Hardware的报道, GlobalFoundries (格罗方德)本周宣布,已经使用其12nm FinFET工艺成功制成了高性能的3D Arm芯片。格罗方德表示:“这些高密度的3D芯片将为计算应用,如AI/ML(人工智能和机器学习)以及高端消费级移动和无线解决方案,带来新的性能和能源效率。”
JDI发布最新财报 现已资不抵债
此前日本唯一的知名面板公司——JDI发布了2019财年Q1季度财报,营收下滑12%到904亿日元,净亏损832亿日元,是去年同期的17亿日元净亏损的49倍。这个季度中,JDI运营利润实际上只亏了275亿日元,但是JDI表示由于全球贸易纷争导致需求下滑、客户库存调整,还有JDI自身的工厂减损、事业部改组等问题,计提517亿日元的特别损失,导致净亏损832亿日元。值得一提的是,JDI已经连续五年都处于亏损状态,现在一个季度的亏损差不多等同于去年一年的亏损了。目前,因连续多年巨额亏损,JDI陷入了资不抵债的地步了,现在净资产为负772亿日元,自有资本率跌至-19.3%,3月底的财报中官方报告的资本率还有0.9%,虽然也很低,但还没有负资产的地步。
Vishay推出的新款60 V MOSFET
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款60 V TrenchFET 第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极 驱动电路 的器件,10V条件下最大导通电阻降至4mW,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5 nC,同时具有低输出电荷(QOSS)。
格芯再出售资产 旗下光罩业务将出售给日本公司
之前放弃7纳米及其以下先进制程研发,又陆续出售旗下晶圆厂的晶圆代工厂商格芯(Globalfoundries),14日又在其公司官网上公布,准备将旗下的光罩业务出售给日本Toppan的子公司Toppan Photomasks,这是格芯近年来在出售多项资产之后,再一次出售旗下业务,也进一步引发市场人士的关注。根据公布的资料显示,在Toppan收购格芯位于美国佛蒙特州伯灵顿的光罩业务部分设备与资产之后,双方也将透过签属一项多年的供应协议,使Toppan将持续提供格芯目前所需要的光罩和相关服务。
美光新加坡Fab 10A闪存工厂完成扩建
存储器大厂美光科技(Micron)14日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建!美光执行长Sanjay Mehrotra表示,新厂区将视市场需求调整资本支出及产能规划,并应用先进3D NAND制程技术,进一步推动5G、人工智能(AI)、自动驾驶等关键技术转型。此外,美光亦将加码在中国台湾DRAM厂投资,台中厂扩建生产线可望在年底前落成。
受管制原料出口韩国冲击 日商启动中国工厂生产计划
根据《日本经济新闻》的报导指出,就在日本管制3种高科技原料出口韩国,甚至进一步将韩国移出出口简化程序白名单之后,日本的相关原料生产厂商也受到了影响。因此,专门以生产高纯度氟化氢等原料为主的日本森田化学表示,未来预计将启动在中国生产高纯度氟化氢的计划,以供应韩国厂商的需求。
格芯推出12纳米ARM架构3D芯片
晶圆代工大厂格芯(GlobalFoundries)8日宣布,开发出基于ARM架构的3D高密度测试芯片,将实现更高水准的性能和功效。由于当前芯片封装一直是芯片制造中的一个关键点,使得在传统的2D封装技术已经发展到瓶颈之后,半导体制造商们把目光转向3D堆叠技术上。除了看到大量的3D NAND Flash快闪存储器的应用,英特尔和AMD也都有提出关于3D芯片的研究报告。如今,ARM和格芯也加入这领域。
AMS决定340亿收购欧司朗(Osram)
苹果公司供应商艾迈斯半导体(AMS,原奥地利微电子)此前宣布,已经向德国照明设备集团欧司朗(Osram )提议全现金收购,出价为每股38.5欧元。AMS表示,该出价对欧司朗的企业估值为43亿欧元,约340亿人民币。
汉威科技拟定增募资不超5.876亿元 用于MEMS传感器封测产线建设
汉威科技披露非公开发行股票预案,拟非公开发行股票的募集资金总额不超过5.876亿元,扣除发行费用后,约2.05亿元用于MEMS传感器封测产线建设,1.82亿元用于新建年产150万只气体传感器生产线,1.44亿元用于新建年产19万台智能仪器仪表生产线,5621万元用于物联网系统测试验证中心建设。此次非公开发行的股票数量不超过发行前公司总股本的20%。按当前股本测算,此次发行股票数量不超过约5860.456万股(含),最终发行数量根据募集资金总额和发行价格计算所得。
朗迪集团跨界投资芯片行业 拟收购甬矽电子10.94%股权
此前,朗迪集团曾发布投资意向公告,拟投资受让半导体封测企业甬矽电子(宁波)股份有限公司(以下简称“甬矽电子”)合计不超过2900万股股份,投资总额不超9860万元。8月15日,朗迪集团正式宣布,公司与青岛海丝民和股权投资基金企业(有限合伙)、王顺波等签订《甬矽电子(宁波)股份有限公司投资协议》,拟以现金9860万元人民币收购海丝民和持有的甬矽电子2900万股股份,股权比例为10.94%。
富满电子拟募资3.5亿元 推动功率半导体器件等扩产升级
14日,富满电子发布《非公开发行A股股票预案(修订稿)》,拟非公开发行募集资金总额不超过3.5亿元人民币,扣除发行费用后拟投资于功率半导体器件、LED控制及驱动类产品智能化生产建设项目以及补充流动资金。根据公告,功率半导体器件、LED控制及驱动类产品智能化生产建设项目投资金额2.81亿元,拟使用募集资金金额2.5亿元。该项目拟在安徽省合肥市高新技术产业开发区建设厂房,用于生产功率半导体器件、LED 控制及驱动类芯片以满足下游客户对相关产品产能的需求,新增生产线生产产能将达到10.5亿PCS/年,项目建设期为1年。
半导体设备行业是半导体芯片制造的基石
半导体设备指半导体产品在制造和封测环节所要用到的所有机器设备,广义上也包括生产半导体原材料所需的机器设备。主要有:光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入机、测试机、分选机、探针台等。根据半导体行业内“一代设备,一代工艺,一代产品”的经验,半导体产品制造要超前电子系统开发新一代工艺,而半导体设备要超前半导体产品制造开发新一代产品。因此半导体设备行业是半导体芯片制造的基石,擎起了整个现代电子信息产业,是半导体行业的基础和核心。
根据国际货币基金组织测算,每1美元半导体芯片的产值可带动相关电子信息产业10美元产值,并带来100美元的GDP,这种价值链的放大效应奠定了半导体行业在国民经济中的重要地位。半导体与信息安全的发展进程息息相关,世界各国政府都将其视为国家的骨干产业,半导体产业的发展水平逐渐成为了国家综合实力的象征。
随着半导体行业的迅速发展,半导体产品的加工面积成倍缩小,复杂程度与日俱增,生产半导体产品所需的制造设备需要综合运用光学、物理、化学等科学技术,具有技术壁垒高、制造难度大及研发投入高等特点。半导体设备价值普遍较高,一条制造先进半导体产品的生产线投资中设备价值约占总投资规模的75%以上,半导体产业的发展衍生出巨大的设备需求市场。
半导体设备以晶圆制造设备为主
集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等,晶圆制造设备的市场规模占比超过集成电路设备整体市场规模的80%。
晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等十多类,其合计投资总额通常占整个晶圆厂投资总额的75%左右,其中刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。根据SEMI统计,按全球晶圆制造设备销售金额占比类推,目前刻蚀设备、光刻机和薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约24%、23%和18%。
随着集成电路芯片制造工艺的进步,线宽不断缩小、芯片结构3D化,晶圆制造向7纳米、5纳米以及更先进的工艺发展。由于普遍使用的浸没式光刻机受到波长限制,14纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工将通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板效应来实现,使得相关设备的加工步骤增多。未来,刻蚀设备和薄膜沉积设备有望正成为更关键且投资占比最高的设备。
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