悼念！中科院陈星弼院士去世 他是中国功率半导体领域的领路人

陈星弼院士去世。近日，从电子科技大学获悉，中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于4日17时10分在成都逝世，享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海，1952年从同济大学电机系毕业后，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)工作。

1980年，他被派往美国俄亥俄州大学做访问学者，于1981年初转到加州大学伯克利点校，开始进行新型半导体功率器件的研究。1983年回国后被选为系主任，不久建立了微电子研究所。他以MOS型功率器件为主要研究方向。在他率领下，在中国首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件并开发了相关技术。

他1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士。

陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为“高压功率器件新的里程碑”。

由于世界上有近四分之三的电能是通过半导体功率器件来转换其形式后才可以使用的，因此国外有人预言做在一块芯片上会引起所谓"第二次电子革命"。

陈星弼的新发明解决了在普通集成电路上做功率器件的问题，打破了阻碍第二次电子革命迅速发展的桎梏。

陈星弼院士因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献获得第二十七届国际功率半导体器件与集成电路年会(IEEE ISPSD 2015)颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

他著书7本，发表学术论文110多篇，申请中国发明专利20项(已授权17项)，申请美国发明专利19项(已授权16项，另有两项已通知准备授权)，申请国际发明专利1项。获国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项，完成国家自然科学基金重点项目、军事研究项目、国家“八五”科技攻关项目多项。