韩国芯片巨头计划升级在华工厂：无锡工厂DRAM技术升级不容易【附存储芯片前景预测】

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近日，据韩媒报道，韩国芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外(EUV)光刻机出口相关限制，对其中国半导体工厂进行技术提升改造。这被外界解读为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力提升，一些韩国芯片企业准备采取一切可以使用的方法来提高在华工厂制造工艺水平。

韩国《首尔经济》13日的报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器(DRAM)生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于“无锡工厂将技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，产量约占其DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为美国为阻止中国半导体产业崛起，从2019年开始单方面限制制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

随着全球半导体市场进入复苏，中国半导体产业水平迅速提升引发高度关注。中国半导体企业在技术创新、研发投入和市场份额方面取得了显著进展，成为全球半导体产业的重要参与者，中国政府出台一系列政策支持半导体产业发展，促进了国内半导体企业的快速成长。同时，中国市场对半导体产品的需求不断增长，为国内半导体产业提供了巨大的发展机遇。然而，中国半导体产业也面临着一些挑战，如技术瓶颈、国际市场竞争等。

根据SK海力士计划升级10纳米DRAM，回看DRAM市场发展情况

——DRAM市场规模

2016-2022年，全球DRAM市场规模波动变化，2021年销售额达940亿美元，同比增长39.47%。伴随着消费电子需求冷却，2022年销售额达到797亿美元，同比下降15.21%。

——DRAM市场竞争格局

DRAM市场集中度较高，行业主要被三星、海力士、美光三大厂商所垄断，2022年三大厂商市场份额达90%以上。

——DRAM前景预测

根据Yole数据，2022年全球DRAM实现销售额797亿美元;2016-2022年市场年均复合增长率为11.8%。据此，前瞻保守估计未来5年DRAM市场规模将以12%左右的增长率增长，到2028年市场规模将达到1438亿美元左右。

摩根士丹利(大摩)在最新报告中再次上调了存储芯片涨价预期。报告指出，目前市场供需情况呈现供不应求的局面，下游客户已经开始补充库存，中国智能手机OEM厂明年第一季订单量将大幅增加，电脑ODM/ OEM也在建立库存。大摩此次的预估是， DRAM和NAND价格将在明年第一季上涨20%，最新的预期较此前增幅翻倍，此前的预期是DRAM价格涨幅为8%至13%，NAND价格涨幅为5%至10%。

根据集邦咨询近期的报告预测，存储产业将在第四季度迎来近20%的成长。集邦咨询调查显示，在2023Q3的DRAM产业合计营收达134.80亿美金，季成长率约18%。一方面是，买方重启备货动能，使得各原厂营收皆有所成长，但另一方面是，买方虽有备货需求，但以目前来说，服务器领域因库存水位仍高，拉货态度仍显得被动。因此，预测第四季DRAM合约价上涨约13~18%。

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