内存、闪存大涨价！明年或将出现缺货潮【附存储芯片行业市场规模预测】

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科创板日报消息，近日，NAND Flash控制IC厂商群联CEO潘健成表示，随着主要存储芯片厂相继减产，加上部分终端市场回温，NAND市况开始走强、报价上涨。他还表示，近期客户拉货更趋积极，但市场供给持续因大厂减产受限缩，预期明年将出现缺货潮。

根据TrendForce集邦咨询最新研究显示，预估第四季度移动DRAM(内存)及NAND Flash(闪存)合约价均上涨，涨势或将延续至明年第一季度。其中，第四季移动DRAM(内存)合约价季涨幅预估将扩大至13-18%。NAND Flash(闪存)方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10-15%。

据悉，此次涨价潮主要包括以下原因：供应方面，三星扩大减产、美光宣布20%的涨幅等，持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面，2023下半年移动DRAM(内存)及NAND Flash闪存(eMMC、UFS)除了受传统旺季带动，华为Mate 60系列等也刺激其他中国智能手机品牌扩大生产目标，短时间内涌入的需求也成为推动第四季度合约价涨势的原因之一。

随着云计算、大数据和人工智能等技术的发展，对存储芯片的需求不断增加。同时，智能手机、平板电脑和物联网设备的普及也推动了存储芯片市场的增长。新型存储技术如3D NAND Flash和NVMe SSD的出现，提高了存储容量和速度，进一步推动市场的发展。然而，存储芯片市场竞争激烈，技术更新换代快，厂商需要不断创新和提高产品性能才能保持竞争力。

——NAND FLASH发展概述

3D NAND闪存技术的进步，让三星Samsung、海力士SK Hynx、西部数据WD、美光Micron、铠侠Kioxia、英特尔Intel等重视存储芯片的半导体厂商从中尝到了甜头，从全球半导体厂商发展的趋势来看，在存储芯片领域发力获得创新能力具备强大产能的半导体厂商，也纷纷获得了较好的营收增长。由此也带来了存储芯片制造领域的军备竞赛，业内俗称盖楼大赛。

根据全球NAND闪存厂商的技术线路图，三星、海力士、美光都计划在2020年推出128层的(TLC/QLC)，而在2020年后，QLC将逐步发展并成为主流。在2018年后，中国的长江储存技术出现在世界视野中，中国NAND Flash厂商长江存储(YMTC)已在2020年第一季将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商，目前产能和产量都处于提升阶段。

——NAND FLASH市场规模

2021年全球NAND闪存芯片销售额达669亿美元，同比增长18.20%。伴随着消费电子需求冷却，2022年销售额达到587亿美元，同比下降12.26%。

——NAND FLASH前景预测

闪存已经成为智能手机的一个重要组成部分。NAND闪存的需求呈指数级增长，主要受智能手机平均容量增长的推动。智能手机的NAND闪存可以显著提高浏览网页、邮件加载、游戏甚至Facebook等社交网站的性能。随着智能手机的普及，各家公司都在添加额外的功能和应用程序，以将自己的产品与其他制造商区分开来。例如，制造商正在将手势控制、指纹扫描仪和GPS等功能集成到设备中，这提振了对NAND闪存的需求，预计2028年NAND FLASH市场规模将约为1040亿美元。

大数据时代，算力等各种需求仍将不断刺激存储市场增长。据Yole预测，从2021-2027年，NAND Flash将以6%的复合增长率增长，市场规模将达到 960亿美元。整个存储业的复合年均增长率预计为8%。国信证券分析师胡剑在研报指出，NAND主要应用于存储端和手机端。据IDC统计，应用于存储器的NAND占比57.1%，应用于手机端的NAND占比 30.6%。

中泰证券分析师王芳在研报指出，2D到3D大势所趋。2019年，3D NAND的渗透率为72.6%，已远超2D NAND，且未来仍将持续提高，预计2025年3D NAND将占闪存总市场的97.5%。

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