首个采用EUV技术！英特尔Intel 4已开始大规模量产【附光刻胶行业市场分析】

图源：摄图网

10月16日，英特尔宣布，已开始采用极紫外光刻（EUV）技术大规模量产（HVM）Intel 4制程节点。官方表示，英特尔正以强大执行力推进“四年五个制程节点”计划，并将用于新一代的领先产品。

据介绍，Intel 4是英特尔首个采用 EUV 技术生产的制程节点，在性能、能效和晶体管密度等方面“均实现显著提升”，EUV 技术将驱动如 AI、先进移动网络、自动驾驶及新型数据中心和云应用等算力需求最高的应用。

而在应用方面，采用该制程、产品代号为Meteor Lake的英特尔酷睿Ultra处理器将于今年12月14日发布。

极紫外光刻技术的大规模应用标志着半导体行业迈向了一个新的里程碑，而在这一进程中，光刻胶的角色变得尤为重要。作为光刻过程中的关键材料，光刻胶不仅需要具备传统光刻技术所需的特性，如分辨率和精度，同时还需要满足极紫外光刻技术对耐辐射性的更高要求。因此，光刻胶的研发和应用成为了极紫外光刻技术成功实施的重要一环。

光刻技术：EUV光刻机推动芯片制程发展

在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术决定着芯片的最小特征尺寸和性能。半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以提高极限分辨率，从而得到更佳的线路图案精密度。世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线、i线、KrF、ArF、F2，以及最先进的EUV线水平。

注：Resolution为分辨率，代表投影最小图像的能力;k1为工艺相关参数;𝝀为曝光机所用的光源波长，NA为数值孔径。

EUV光刻过程中将浸入式193nm光刻中193nm波长的短波紫外线换成了13.5nm的光，在光刻精密图案方面自然更具优势，能够减少工艺步骤，提升良率，但实现难度非常大。荷兰ASML公司是全球目前唯一能提供EUV光刻机的企业，其EUV极紫光刻机用于生产5nm芯片，垄断全球高端光刻机的供应。国产厂商中，上海微电子官方公告将在2021-2022年交付第一台28nm制程工艺中国沉浸式光刻机，上海微电子与ASML在光刻机领域的差距客观反映中国和西方在精密制造领域差距，超高端光刻机关键零部件来自不同西方发达国家，来自美国光源，德国镜头和法国阀件等，所有核心零部件皆对中国禁运，中国大学研究机构在半导体领域也相对偏薄弱，无法提供有效技术支持，致使中国光刻机技术处在弱势地位。

客户验证周期长、不确定性较大

光刻胶技术壁垒较高且其功能性和产品质量直接影响电子元器件、部件的功能和稳定性，一旦出现质量问题会给下游客户带来不可估量的严重损失，下游客户对光刻胶专用化学品供应商的选择非常谨慎，通常采用认证采购的模式，认证所需时间周期较长。

由于光刻胶产品的功能及质量将直接影响电子元器件、部件的功能和稳定性，下游客户对光刻胶专用化学品供应商的选择非常谨慎，通常采用认证采购的模式，认证所需时间周期较长。一般来说，面板光刻胶的验证周期为1-2年，半导体光刻胶的验证周期为2-3年，同时因为半导体光刻胶的种类多，各个客户的测试要求和流程也有不同，因此，送测验证的时间不确定性很高。

定制化需求加大生产难度

从目前本土光刻胶企业的产能情况来看，截至2021年上半年末，可量产i/g line胶的企业包括北京科华、晶瑞电材;可量产KrF的企业有北京科华;而其余产品目前基本无可量产的企业：

中国光刻胶未来三大趋势：EUV光刻胶、产品定制化、国产化

总体来看，光刻胶行业发展将呈现以下趋势：

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更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国半导体光刻胶行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》

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