IC Insights：今年半导体资本支出将首超1000亿美元 存储占比53%

IC Insights预测，今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元，这是该行业一年来第一次在资本支出上花费超过1000亿美元。这一支出水平比2017年（933亿美元）增长了9％，比2016年增长了38％！ 

（图源：sick）

存储领域投入大

图1显示，2018年超过一半的行业资本支出预计用于内存生产，主要包括随机存储器（DRAM）和闪存（Flash Memory）——包括对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级。总的来说，预计今年内存将占到半导体资本支出的53％。

存储设备的资本支出份额在过去六年大幅增加，几乎翻了一番，从2013年的27％（147亿美元）增加到2018年行业资本支出总额的53％（540亿美元），也就是说2013-2018复合年增长率达到了30％。

图1

在所显示的主要产品类别中，预计DRAM/SRAM的支出增幅最大，但预计闪存占今年资本支出的最大份额（图2）。预计2018年DRAM/SRAM部门的资本支出将在2017年强劲增长82％后出现41％的增长。预计闪存的资本支出将在2017年增长91％后增长13％。逻辑和制造两个领域的资本开支分别下滑14%、11%。

图2

增速大幅放缓

经过两年的资本支出大幅增加，一个迫在眉睫的主要问题是——高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。

虽然2018年集成电路资本开支有望突破1000亿美元大关，但增速不到10%，较2017年的37.61%的增速大幅放缓。

记忆储存市场此前的先例表明，过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。

摩根士丹利则指出，芯片厂商库存逼近十年最高水平，行业出现过热迹象。

今年6月，世界半导体贸易统计组织(WSTS)表示，2018年全球半导体市场规模将达到4630亿美元，增速为12.4%。但2019年半导体市场增速放缓至4.4%。

但目前来看，三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/西部数据/ SanDisk和XMC/长江存储技术都已经着手计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量（以及新的中国内存创业公司进入市场）。IC Insights认为，未来3D NAND闪存市场需求过高的风险正在高涨且不断增长。

虽然三星表示它仍然没有今年的全年资本支出预测，但它表示，与2017年的242亿美元相比，2018年的半导体资本支出“减少”了。三星2018年Q1半导体部门资本支出为67.2亿美元，略高于前三季度的平均水平。这个数字几乎是公司在2016年1季度两年前花费的数量的4倍！在过去四个季度中，三星为其半导体集团投入了惊人的266亿美元的资本支出。

据IC Insights估计，今年三星的半导体部门资本支出将达到200亿美元，比2017年减少42亿美元。然而，考虑到今年的支出开始强劲，目前看来这个预测的增长潜力比下行潜力更大。

由于DRAM和NAND闪存市场仍然非常强劲，预计SK海力士今年的资本支出将增加至115亿美元，比2017年的81亿美元增加42％。今年SK海力士的支出增加将主要是在韩国清州推出两款大型内存晶圆厂M15、一家3D NAND闪存晶圆厂，以及在中国无锡扩建其庞大的DRAM晶圆厂，为此投入了比较多资本和精力。清州工厂将在今年年底前开业。无锡工厂也改计划在今年年底前开业，比原计划的2019年初提前了几个月。

有关集成电路行业内资本支出和其他趋势的详细信息，请参阅《麦克莱恩报告 - 集成电路行业的完整分析和预测》（The McClean Report—A Complete Analysis and Forecast）。