1.217亿美元！广颖电通在印度投资建碳化硅工厂【附全球碳化硅行业分析】

（图片来源：摄图网）

据路透社报道，广颖电通(Silicon Power)将在印度奥里萨邦投资1.217亿美元，建设一家碳化硅工厂。并计划生产150mm(6英寸)碳化硅晶圆。这项投资将由广颖电通的印度子公司RiR Power Electronics负责，他们承诺新工厂将在未来18-24个月内开始运营，最晚不会超过2025年。

外媒指出，广颖电通此次对印度的投资是该国政府吸引外资的努力的一部分。目前，富士康、美光和AMD等公司的高管也正在印度参加会议。

碳化硅，又称碳硅石或金刚砂，是第三代半导体材料的代表之一，主要用于电力电子器件的制造。随着新能源汽车和工业电源等应用的推动，全球电力电子碳化硅市场规模不断增长。

——碳化硅行业全球发展现状

目前，碳化硅已成为半导体技术研究和产业竞争的焦点。美国、日本、欧洲等国家都在积极制定战略布局。目前，第三代半导体材料和器件已成功实现从研发到规模化生产的跨越，并进入了产业化快速发展阶段。在新能源汽车、高速轨道交通、5G通信、光伏并网、消费类电子等多个重点领域取得了应用突破。自2020年以来，发达国家已将半导体技术和产业提升到国家安全战略层面，考虑通过国家级力量在技术研发、产业链发展、原材料和生产制造等多个方面进行全方位的部署。

近年来，全球各企业加速布局碳化硅行业，推出了多款产品，随着技术的成熟和下游需求的增长。以碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）为例，据统计，2021年国际上有10余家公司推出了超过200款SiC MOSFET系列产品，其中击穿电压主要集中在650V和1200V。

在射频器件领域，根据CASA的数据，目前市场上有超过500款可购买的氮化镓（GaN）射频器件和功率放大器。GaN射频器件的最高工作频率为18GHz（Wolfspeed），输出功率最高可达1862W（Qorvo，1.0-1.1GHz）。其中，碳化硅基氮化镓器件是射频市场的主流产品和技术解决方案。

根据第三代半导体产业技术创新战略联盟的数据，截至2020年底，全球碳化硅功率器件市场规模为7.03亿美元，而GaN射频器件市场规模为8.3亿美元。根据Yole的报告，目前约有90%的GaN射频器件采用碳化硅衬底制备。而在2021年，全球碳化硅器件市场规模已经超过了20亿美元。

华金证券认为，第三代半导体功率器件凭借其高频高效、耐高压、耐高温等优异特性，有望提升整车能源利用率并推动车企的新能源汽车产品升级。随着碳化硅器件工艺的不断升级，成本进一步降低，预计其市场渗透率将提高，从而进一步拓宽第三代半导体功率器件的市场空间。

随着全球经济的发展和技术的进步，碳化硅行业有望继续保持稳定增长。同时，碳化硅材料的研发和应用也在不断创新，涌现出更多的新产品和新应用领域。全球碳化硅行业的竞争也日益激烈，各国企业在技术、质量和服务等方面进行不断改进，以满足市场需求。

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更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《全球及中国碳化硅（SIC）行业市场调研及投资前景分析报告》

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