三星预计2024年初量产第九代NAND闪存芯片【附存储芯片行业深度分析】

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据相关媒体报道，10月17日，三星电子存储业务主管李政培(Lee Jung-Bae)发表文章称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。

他还表示，对于DRAM，三星正在研发3D堆叠结构和新材料;对于NAND闪存，正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。他提到，在即将到来的10nm以下DRAM和超过1000层的V-NAND芯片时代，新结构和新材料非常重要。

随着数字化时代的到来，数据量不断膨胀，存储需求不断增加。存储芯片作为重要的硬件组成，广泛应用于各个领域，如移动设备、云计算、物联网等。同时，新兴技术如人工智能、大数据等也推动了存储芯片市场的发展。市场竞争激烈，主要厂商包括三星、英特尔、美光等。然而，存储芯片市场也面临一些挑战，如技术进步的需求、成本压力等。

——NAND FLASH发展概述

从SLC到QLC，每个存储单元能存储的数据从1位增加至4位，状态从2种增加至16种，存储空间迅速增加。过去NAND Flash为2D平面结构，相比之下3D NAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大的容量、更低的功耗、更好的耐用性以及更低的成本。目前3D技术正在稳步推进中，未来的发展方向就是层数的继续堆叠。

3D NAND闪存技术的进步，让三星Samsung、海力士SK Hynx、西部数据WD、美光Micron、铠侠Kioxia、英特尔Intel等重视存储芯片的半导体厂商从中尝到了甜头，从全球半导体厂商发展的趋势来看，在存储芯片领域发力获得创新能力具备强大产能的半导体厂商，也纷纷获得了较好的营收增长。由此也带来了存储芯片制造领域的军备竞赛，业内俗称盖楼大赛。

根据全球NAND闪存厂商的技术线路图，三星、海力士、美光都计划在2020年推出128层的(TLC/QLC)，而在2020年后，QLC将逐步发展并成为主流。在2018年后，中国的长江储存技术出现在世界视野中，中国NAND Flash厂商长江存储(YMTC)已在2020年第一季将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商，目前产能和产量都处于提升阶段。

——NAND FLASH市场规模

2021年全球NAND闪存芯片销售额达669亿美元，同比增长18.20%。伴随着消费电子需求冷却，2022年销售额达到587亿美元，同比下降12.26%。

当前全球NAND市场规模主要集中于美国、中国、欧洲和日本地区，四大地区合计市场份额达79%，其中得益于智能手机的需求，中国地区对NAND闪存的市场销售额占比全球最大，根据Yole的数据，2022年中国地区NAND闪存市场销售额占全球33%。

——NAND FLASH市场竞争格局

NAND Flash市场竞争较DRAM 更加激烈。供给端存在三星、铠侠、美光、西部电子、海力士等多家厂商占据较大份额，2021年三星占据34%、铠侠电子市场份额为19%、WDC占据14%，具体如下：

前瞻产业研究院分析认为，3D化是当前NAND闪存引领发展的主要趋势，各NAND闪存大厂都在3D堆叠上加大研发力度，尽可能提升闪存的存储密度。闪存已经成为智能手机的一个重要组成部分。NAND闪存的需求呈指数级增长，主要受智能手机平均容量增长的推动，预计2028年NAND FLASH市场规模将约为1040亿美元。

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更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国存储芯片行业市场需求与投资前景预测》。

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